[发明专利]一种纵向双极结型晶体管版图结构在审
| 申请号： | 202111549343.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114335157A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周文质;唐毓尚;胡锐;包磊;梁真文;彭俊;王斌;贺京锋 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/732 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种纵向双极结型晶体管版图结构，属于半导体集成电路领域。所述纵向双极结型晶体管版图结构利用环状的发射区包围基极。包括：衬底，位于所述衬底中的集电区，被集电区从四周及下方包裹的基区，被基区从四周及下方包裹的、呈环形的发射区，被发射区环绕的基极。解决了现有纵向三极管为降低在大电流情况下发射结电流集边效应而造成版图面积增大、发射极去偏置效应增加的问题。能够增强大电流情况下晶体管的性能，减小版图面积，并且能够兼容现有的双极工艺，符合半导体集成电路的发展趋势及产业化需求。广泛应用于半导体功率晶体管技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 双极结型 晶体管 版图 结构 | ||
【主权项】：
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