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[发明专利]匹配二极管保护单元的电流补偿电路及放大器电路-CN202210707865.6有效
发明人：邱伶俐;唐毓尚;包磊;王德成;段方;尹国平;杨永念 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种匹配二极管保护单元的电流补偿电路，包括二极管保护单元，其包含二极管D1和/或二极管D2，D1的阳极和/或D2的阴极与需保护电路的电信号输入端或电信号传输通路相连；对应的，D1的阴极与供电正端相连，D2的阳极与供电负端相连：还包含电流复制电路，用于模拟匹配D1的反向电流I1为补偿电流I3，和/或模拟匹配D2的反向电流I2为补偿电流I4；电流复制电路的输出与需保护电路的电信号输入端或电信号传输通路相连，且相对该连接点，补偿电流I3、补偿电流I4对应的与反向电流I1、反向电流I2的电流进出方向相反。本发明通过电流复制电路，使需保护电路的输入端或传输通路的电流与二极管保护单元的漏电流相同，实现传输通路偏置电流的稳定。
匹配二极管保护单元电流补偿电路放大器

[发明专利]一种熔丝修调电路-CN202211044088.8有效
发明人：杨阳;唐毓尚;段方;袁兴林;陈旺云;凌豪 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝修调电路，使用时集成在封装完成的目标被修调芯片内，所述修调电路包括：解码模块和修调模块；所述解码模块的接收端通过所述目标被修调芯片的一个引脚与外部信号发生器相连，用于将所述外部信号发生器发出的第一复合信号解码为预修调信号，还用于将所述外部信号发生器发出的第二复合信号解码为修调信号；所述修调模块用于根据所述解码模块发出的预修调信号对所述目标被修调芯片进行预修调，还用于根据所述解码模块发出的所述预修调信号和所述修调信号对所述目标被修调芯片进行修调。解决了现有技术中存在的对熔丝熔断的控制信号通常对需要较多的控制引脚接收修调控制信号且封装应力使校准后的参数产生产生偏差的问题。
一种熔丝修调电路

[发明专利]应用于多电源和多地之间的静电保护电路和半导体芯片-CN202310244463.1在审
发明人：李雪;唐毓尚;段方;袁兴林;田德鑫;陈聪秀 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供了应用于多电源和多地之间的静电保护电路和半导体芯片，所述静电保护电路包括：N个泄放单元、M个钳位单元和X个反相二极管对单元；泄放单元用于实现任意电源与相对应的配对地之间的正向导通和反相导通泄放；钳位单元的输入电源端与一个任意电源相连，每个钳位单元的输出地与一个任意地相连，用于实现任意电源与任意地之间的反相导通泄放；反相二极管对单元用于实现任意地与另一个任意地的正向导通和反相导通泄放；本发明利用不同的ESD保护子单元组合，在不同的电源和不同的地之间进行电源对地、电源对电源、地对地的静电泄放，可以实现多电源和多地之间的ESD保护，提高了芯片的ESD系统泄放能力。
应用于电源之间静电保护电路半导体芯片

[发明专利]一种误差校准电路及模数转换系统-CN202310067500.6在审
发明人：田德鑫;李雪;唐毓尚;袁兴林;杨阳;陈敏华 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03M1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种误差校准电路及模数转换系统，所述电路包括：增益误差控制模块、钳位与驱动模块和增益误差校准信号输出模块；增益误差控制模块用于接收增益校准数字控制信号，还用于根据所述外部电流源产生的电流和增益校准数字控制信号产生高偏置电压和低偏置电压；钳位与驱动模块用于接收参考电平，还用于根据参考电平向增益误差校准信号输出模块输出钳位信号；增益误差校准信号输出模块还用于接收增益控制模块输出的高偏置电压和低偏置电压，还用于根据钳位信号、高偏置电压和低偏置电压产生增益误差校准信号并向所述模数转换系统输出增益误差校准信号。其解决了现有技术中的调节模数转换器输入模拟信号范围的方法影响转换器性能的问题。
一种误差校准电路转换系统

[发明专利]一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路-CN202310035395.8在审
发明人：叶美耀;熊欢;陈敏华;李雪;袁兴林;唐毓尚 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路，所述基准电压源包括：偏置电路、运算放大电路、带隙基准电压源核心电路和温度曲率补偿电路；所述偏置电路用于将外部电源端的输出电压转换成偏置电流；所述带隙基准电压源核心电路用于根据所述偏置电流产生带隙基准电压；所述运算放大电路用于构成负反馈，控制所述带隙基准电压的大小；所述温度曲率补偿电路用于对所述带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿；本发明通过温度曲率补偿电路对带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿，使带隙基准电压源核心电路输出电压的温度特性可以和曲率补偿项互补抵消，在更宽温度范围内得到精度更高、温漂更低的基准电压，广泛应用于各种高精度系统中。
一种温度补偿基准电压集成电路

[发明专利]一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路-CN202310064271.2在审
发明人： 唐毓尚;代松;胡锐;李政;包磊;陈旺云;彭俊 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路，所述输入级电路包括：目标NPN管、基极电流采集管、第一镜像电流源、第二镜像电流源和第一电流源；本发明中通过第一镜像电流源为目标NPN管基极电流提供补偿，使第一镜像电流源、目标NPN管、基极电流采集管三者之间形成回路，不需要外部信号输入端为目标NPN管提供基极电流，从而极大降低了输入偏置电流；通过第二镜像电流源为基极电流采集管的发射极电流提供补偿，来达到增大基极电流采集管的集电极电流的目的，从而使基极电流采集管的基极电流与目标NPN管的基极电流保持一致，提高了基极电流同步采集的精度，达到降低输入级电路中偏置误差的目的。
一种运算放大器输入电路级差

[发明专利]一种用于LDO的极点-极点跟踪频率补偿电路-CN202211615146.8在审
发明人：黄越豪;陈敏华;李雪;袁兴林;袁伟;唐毓尚;王瑶 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种用于LDO的极点‑极点跟踪频率补偿电路，属于半导体集成电路领域。包括电流采样单元电路、缓冲级单元电路、反馈单元电路、环路补偿单元电路，电流镜电路。将输出极点POUT作为LDO的主极点，将功率管输入极点Pe作为次主极点，通过在传统LDO结构中误差放大器和功率管之间插入本发明电路作为缓冲级，利用电流采样电路采样输出电流，使得功率管输入极点Pe与负载电流相关联，在负载电流变化范围内跟随输出极点沿同一方向移动，形成极点‑极点跟踪效果，以此达到维持反馈回路稳定的目的，同时加入反馈电路用于控制两极点之间的位置关系使得功率管输入极点Pe始终在单位增益带宽以外，自此解决了功率管输入极点和输出极点的主次关系以及两者之间的位置关系，实现LDO在大负载电流下的稳定。广泛应用于大负载电流LDO领域。
一种用于 ldo 极点跟踪频率补偿电路

[发明专利]一种基于双极型放大器的超低偏置电流设计方法及其电路-CN202111654980.3有效
发明人：袁兴林;唐毓尚;李雪;陈敏华;张子扬;杨威;陈进;王瑶 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种基于双极型放大器的超低偏置电流设计方法及其电路，涉及半导体集成电路。采用实时采样电流消除设计方法，所述放大器电路包括启动偏置电路、共射共基差分输入电路、基极电流补偿核心电路；启动偏置电路在电源上电之后使系统摆脱简并点的束缚而正常工作，在启动完成后为系统提供稳定的直流偏置点；共射共基差分输入电路包括同类型超βNPN晶体管差分对，实现输入信号放大及双转单功能；基极电流补偿核心电路包括偏置电流监控电路和补偿电路，通过精密电流镜及负反馈实现输入对管基极电流拷贝，实现基极电流同步补偿。解决了现有电流运算放大器输入偏置电流过大、微弱信号处理精度低的问题。广泛应用于低偏置电流运算放大器技术领域。
一种基于双极型放大器偏置电流设计方法及其电路

[发明专利]一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源-CN202111514877.9有效
发明人： 唐毓尚;叶美耀;李雪;袁兴林;陈敏华;蒋冰桃;杨阳;杨威 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源，属于双极型半导体集成电路领域。包括基准电压产生电路A、高阶温度曲率补偿电路B和反馈电路C；基准电压产生电路A连接高阶温度曲率补偿电路B，高阶温度曲率补偿电路B连接反馈电路C；高阶温度曲率补偿电路B包括低温补偿电路B1、高温补偿电路B2，低温补偿电路B1产生高阶负温度系数电流，所述高温补偿电路B2产生高阶正温度系数电流，分别在低温段和高温段对带隙基准电压进行曲率补偿，使得基准电压在更宽温度范围内稳定输出更高精度更低温漂的基准电压。解决了现有带隙基准电压温度补偿技术不能获得高精度低温漂带隙基准电压的问题。广泛应用于高精度、低温漂基准电源领域。
一种基于温度曲率补偿低温漂带隙基准电压

[发明专利]一种带超低漏电流补偿技术的模拟开关-CN202111514473.X有效
发明人： 唐毓尚;王瑶;胡锐;李雪;陈敏华;袁兴林;简启航;袁伟 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种带超低漏电流补偿技术的模拟开关，属于半导体集成电路领域。包括：模拟开关单元电路、电流采样单元电路、漏电流补偿单元电路1、漏电流补偿单元电路2。漏电流补偿单元电路1的漏电流补偿端与模拟开关单元电路的输入端连接，漏电流补偿单元电路2的漏电流补偿端与模拟开关单元电路的输出端连接，电流采样单元电路的采样电流输出端连接到漏电流补偿单元电路1的输入端和漏电流补偿单元电路2的输入端。通过漏电补偿技术使得传统CMOS互补模拟开关晶体管衬底到源漏端产生的PN结漏电流得到补偿，从而实现一种带超低漏电流补偿技术的模拟开关。广泛应用于高精度开关电路领域。
一种带超低漏电补偿技术模拟开关

[实用新型]一种基于BCD工艺的开环高增益精度电流放大电路-CN202123245830.5有效
发明人： 唐毓尚;王俊生;刘俊;朱正永;李政;彭俊;周文质;杨菲菲 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种基于BCD工艺的开环高增益精度电流放大电路，涉及半导体集成电路，包括多级电流镜像电路、偏置电路及放大电路，还包括基极电流补偿电路，所述基极电流补偿电路由电流采样电路及电流镜像电路组成。为电流检测放大器提供了一种实现电流放大的电路，同时提供了一种提高电流放大精度的电路结构，该方法采用基极电流补偿技术，构建合适的偏置电路使得采样电流准确对三极管基极电流补偿，降低了基极电流对增益精度的影响。解决现有电流检测放大器对工艺依赖性，及BCD工艺中三极管性能差，导致电流增益精度低的问题。本实用新型所述技术方案广泛适用于电流检测精度的电流检测放大器中。
一种基于 bcd 工艺开环增益精度电流放大电路

[实用新型]一种ESD MOS管版图结构-CN202123180690.8有效
发明人： 唐毓尚;石力强;刘健;彭俊;周文质;尹国平;曾信幸;杨菲菲 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种ESD MOS管版图结构，属于集成电路领域。所述结构包括2个或2个以上ESD子器件，ESD子器件共用一个芯片焊盘，以芯片焊盘为布局中心，ESD子器件对称地环绕在芯片焊盘的周围，形成环形布局，环形的具体形状按芯片焊盘的形状对称地进行调整。避免了每个焊盘均需采用ESD保护，从而减小了芯片版图面积，提升静电防护性能同时还改善了ESD器件与焊盘总面积之间的空间占用率，达到提高ESD器件抗静电能力和降低成本的目的。解决现有ESD器件在提高芯片抗静电能力的同时，芯片面积随之大幅增加及成本大幅增加的问题。广泛应用于ESD器件技术领域。
一种 esd mos 版图结构

[实用新型]一种可修调电性能的集成电路结构-CN202123111156.1有效
发明人：李平;唐毓尚;朱正永;段方;李宁;甘贤鹏;方畅;张欣 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种可修调电性能的集成电路结构，属于集成电路领域。所述可修调电性能结构包括集成电路产品基片、导带、阻带、集成电路芯片、可调电阻芯片、固定键合丝、可调键合丝；集成电路芯片及可调电阻芯片装贴在集成电路产品基片上，导带和阻带制作在集成电路产品基片上，阻带两端连接不同的导带，集成电路芯片经过固定键合丝与导带键合连接，可调电阻芯片通过可调键合丝与导带键合连接。可调电阻芯片为采用芯片制造工艺制备在硅衬底上的电阻芯片，或者采用厚薄膜工艺制备在陶瓷基板上的电阻芯片。解决了现有修调结构需采用外接元器件进行修调，造成占用空间大、修调精度低、可靠性差、质量一致性差、合格率低的问题。广泛应用于电性能可修调的集成电路中。
一种可修调电性能集成电路结构

[发明专利]一种纵向双极结型晶体管版图结构-CN202111549343.X在审
发明人：周文质;唐毓尚;胡锐;包磊;梁真文;彭俊;王斌;贺京锋 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种纵向双极结型晶体管版图结构，属于半导体集成电路领域。所述纵向双极结型晶体管版图结构利用环状的发射区包围基极。包括：衬底，位于所述衬底中的集电区，被集电区从四周及下方包裹的基区，被基区从四周及下方包裹的、呈环形的发射区，被发射区环绕的基极。解决了现有纵向三极管为降低在大电流情况下发射结电流集边效应而造成版图面积增大、发射极去偏置效应增加的问题。能够增强大电流情况下晶体管的性能，减小版图面积，并且能够兼容现有的双极工艺，符合半导体集成电路的发展趋势及产业化需求。广泛应用于半导体功率晶体管技术领域。
一种纵向双极结型晶体管版图结构

[发明专利]一种基于双极工艺的具有超低失调电压的集成电路-CN201910663568.4有效
发明人： 唐毓尚;代松;袁兴林;蒋冰桃;贾要水 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种基于双极工艺的具有超低失调电压的集成电路，公开了解决双极工艺双输入转单输出集成电路系统失调问题的方法。该方法采用双转单匹配技术，结合基极电流补偿技术和电流负载补偿技术，降低了双极器件基极电流对系统失调的影响。所述双转单匹配电路的输出端与基极电流补偿电路相连；所述基极电流补偿电路与双转单匹配电路相连；所述电流负载补偿电路与双转单匹配电路、基极电流补偿电路相连。本电路优点：（1）降低双极晶体管基极电流对电路系统失调的影响，提高电路匹配精度；（2）提高电路增益；（3）电流匹配不受大电流输出的影响。本发明广泛应用于基于双极工艺的精密运算放大器、低失调比较器、高精度AD/DA转换器及其他相关领域。
一种基于工艺具有失调电压集成电路

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