[发明专利]一种纵向双极结型晶体管版图结构在审
| 申请号： | 202111549343.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114335157A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周文质;唐毓尚;胡锐;包磊;梁真文;彭俊;王斌;贺京锋 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/732 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 双极结型 晶体管 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，利用环状的发射区包围基极。
2.如权利要求1所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述纵向双极结型晶体管版图结构包括：衬底，位于所述衬底中的集电区，被集电区从四周及下方包裹的基区，被基区从四周及下方包裹的、呈环形的发射区，被发射区环绕的基极。
3.如权利要求2所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述集电区与发射区掺杂类型相同，与基区掺杂类型不同。
4.如权利要求2所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述集电区呈方形。
5.如权利要求1所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述环形发射区外边沿呈方形，发射极位于其四个角上。
6.如权利要求5所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述发射极位于发射区上距离基极最远处。
7.如权利要求2所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述环形发射区内边沿呈十字形。
8.如权利要求2所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述基极呈十字形。
9.如权利要求2所述的一种纵向双极结型晶体管版图结构，其特征在于，所述衬底与所述集电区之间存在隔离层。
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