[发明专利]一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 202111548376.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN116275026A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 岳鑫;吕延庆;肖飞;张福林;韩小莹;赵洪俭 | 申请（专利权）人： | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/18 | 分类号： | B22F1/18;B22F3/15;B22F3/115;C22C1/05;C22C21/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110142 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法，包括如下步骤：1)颗粒级配；2)初步包覆；3)热喷雾包覆；4)等离子沉积5)热等静压所述粗坯，最终得到铝碳化硅。本发明公开提供了一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法，得到碳化硅体积分数高、孔隙率较低、热导率高、热膨胀系数可调的铝碳化硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 等离子 沉积 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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