[发明专利]一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号: | 202111548376.2 | 申请日: | 2021-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN116275026A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
| 发明(设计)人: | 岳鑫;吕延庆;肖飞;张福林;韩小莹;赵洪俭 | 申请(专利权)人: | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 |
| 主分类号: | B22F1/18 | 分类号: | B22F1/18;B22F3/15;B22F3/115;C22C1/05;C22C21/00;C22C32/00 |
| 代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
| 地址: | 110142 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 等离子 沉积 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法,包括如下步骤:1)颗粒级配;2)初步包覆;3)热喷雾包覆;4)等离子沉积5)热等静压所述粗坯,最终得到铝碳化硅。本发明公开提供了一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法,得到碳化硅体积分数高、孔隙率较低、热导率高、热膨胀系数可调的铝碳化硅材料。
技术领域
本发明公开涉及铝碳化硅材料制备技术领域,尤其涉及一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法。
背景技术
铝碳化硅材料是采用铝合金作基体,按设计要求,将一定形式、比例和分布状态的碳化硅作为增强体,复合而成的一种无机非金属颗粒增强金属基材料。因具有轻质、高比强度、高热导率、热膨胀系数可调等优异的力学和热物理性能,广泛地应用于电子封装、精密仪器、汽车部件,航空航天都等领域。
制备铝碳化硅材料的方法很多,常见的有搅拌铸造法、粉末冶金法、浸渗铸造法、喷射沉积法。其中,喷射沉积法是一种结合金属液雾化和沉积过程,在惰性气体作用下制备金属复合材料的成型工艺,其工艺过程包括基体金属熔化,液态金属雾化、颗粒加入及其金属雾化流的混合、沉积和凝固等。喷射沉积法利用快速凝固的特性,生产所需要的温度比较低,颗粒之间的接触时间非常短,可使晶粒得到显著细化,避免宏观偏析,降低界面反应,降低氧化程度,且增强体的体积分数及尺寸大小可不受限制,产品的综合性能有很大的提高。
虽然喷射沉积法的过程比较短,而且工艺、技术比较简单,但是设备的成本较高,粉末原料的利用率较低,一般仅为20-30%,所制得的复合材料孔隙度较大,一般都需要结合热等静压或挤压进一步加工致密化。
发明内容
鉴于此,本发明公开提供了一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法,以得到体积分数高、孔隙率较低、热导率高、抗弯强度高的铝碳化硅材料。
本发明提供的技术方案,具体为,一种基于等离子沉积的铝碳化硅材料的制备方法,包括如下步骤:
1)颗粒级配:分别选择不同粒度的碳化硅粉体、铝合金粉体;得到备用的碳化硅粉体、铝合金粉体;
2)混合步骤1)中备用的碳化硅粉体、铝合金粉体得到混合粉体,采用机械手段通过添加改性剂对混合粉体进行初步包覆;
3)将初步包覆后的粉体进行热喷雾包覆,得到铝合金包覆碳化硅粉体;
4)等离子沉积所述铝合金包覆碳化硅粉体,得到铝碳化硅材料的粗坯;
5)热等静压所述粗坯,最终得到铝碳化硅。
所述步骤1)中选择两种或两种以上不同粒度的碳化硅粉体,所述不同粒度的碳化硅粉体中小颗粒:中颗粒:大颗粒的质量比为:3/3/4-2/3/5;所述碳化硅粉体的粒度为0.1-500μm;所述铝合金粉体的粒度为0.1-100μm。
所述铝合金粉体为高纯铝粉、6061铝合金粉、7050铝合金粉体中的一种。
步骤2)所述混合粉体中碳化硅所占的体积比为40-50%。
步骤2)中所述机械手段为采用高能球磨机,所述高能球磨机为氧化锆磨球,料/球质量比为1/2;高能球磨机转数为2000-3000rpm,球磨时间为2-5h。
步骤2)中所述改性剂的添加质量百分比为小于等于3%。
所述改性剂为硬脂酸、石蜡、树脂中的一种。
步骤3)具体包括:
a、将初步包覆后的粉体加入搅拌机中,再加入水作为溶剂,其中料水质量比1/1-1/2;
b、再向上述溶液中加入粘结剂,所述粘结剂的添加质量百分比小于等于3%;加入粘结剂后进行搅拌,搅拌时间为0.5-2h;其中所述粘结剂为PVA、树脂中的一种;
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