[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111526136.2 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114300362A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭光弘;林佳翰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，提供衬底，衬底表面具有凸出的多个鳍部、覆盖鳍部底部侧壁的沟槽隔离结构以及覆盖浅沟槽隔离结构表面和鳍部表面的氮化硅层；刻蚀去除氮化硅层；淀积一层碳涂层，碳涂层覆盖浅沟槽隔离结构的表面；刻蚀去除位于浅沟槽隔离结构上方的鳍部；利用碳涂层剥除工艺去除碳涂层；利用湿法清洗工艺去除衬底表面残留的刻蚀物；在剩余的鳍部表面磊晶生长一磊晶结构。本发明通过增加碳涂层保护浅沟槽隔离结构，减小了浅沟槽隔离结构在刻蚀工艺中的损失，降低了栅极底部漏电和鳍侧边裸露造成磊晶缺陷问题产生的风险，提高了器件性能。并且，解决了硅刻蚀刻蚀量受限制的问题，使得硅刻蚀可以更有效的调整刻蚀轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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