[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111526136.2 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114300362A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭光弘;林佳翰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，所述衬底表面具有凸出的多个鳍部、覆盖所述鳍部底部侧壁的沟槽隔离结构以及覆盖所述浅沟槽隔离结构和所述鳍部表面的氮化硅层；
步骤二、刻蚀去除所述氮化硅层；
步骤三、淀积一层碳涂层，所述碳涂层覆盖所述浅沟槽隔离结构的表面；
步骤四、刻蚀去除位于所述浅沟槽隔离结构上方的鳍部；
步骤五、利用碳涂层剥除工艺去除所述碳涂层；
步骤六、利用湿法清洗工艺去除所述衬底表面残留的刻蚀物；
步骤七、在剩余的所述鳍部表面磊晶生长一磊晶结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤一中所述鳍部的材料为硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤二中所述刻蚀采用干法刻蚀工艺，以所述浅沟槽隔离结构为停止层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤三中所述碳涂层的厚度为5～20nm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤七中所述磊晶结构利用分子束磊晶成长、液相磊晶成长或气相磊晶成长方式形成。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤七中形成于每一鳍部上的磊晶结构与其相邻的磊晶结构被间隙所隔开。
7.一种采用权利要求1至6中任一项半导体结构的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
覆盖所述鳍部底部侧壁的浅沟槽隔离结构；
形成于所述衬底表面具有凸出的磊晶结构的鳍部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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