[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备工艺有效
申请号: | 202111499294.3 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114420816B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 刘峰;吴铭钦 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区雨竹半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;H01L33/44;B05D7/14;B05D7/24;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 卢超 |
地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备工艺,具体涉及发光二极管技术领域,包括防水抗湿膜、蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层。本发明可有效提高发光二极管芯片的抗湿防水性能,同时保证芯片的高温水液中浸泡处理的性能稳定性,可有效防止芯片发生损伤;配方中的防水抗湿膜中的氧化锌在蓝宝石衬底和芯片整体外部形成双层氧化锌镀膜,可有效提高芯片的抗菌自清洁和耐温性能,防水抗湿膜在氧化锌镀膜外部制成双层氧化铝钝化层,可有效加强芯片的多重防水抗湿性能;第二层氧化锌镀膜和第二层氧化铝钝化层直接包裹在整个芯片外部,可有效加强芯片的耐高温和防水抗湿性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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