[发明专利]高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台在审
| 申请号： | 202111490849.8 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114068369A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 孙嵩泉;杨陆晗;张磊;蒋中山;齐莉;孙巍泉 | 申请（专利权）人： | 普乐（合肥）光技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/317;H01J37/32;H01L21/324;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪;和聚龙 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明给出了一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台；此平台可以把直径300毫米的半导体晶圆在15秒到30秒时间内从室温内冷却到‑120℃。高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台由高真空超低温腔和自复叠低温制冷工质循环闭路系统构成；自复叠低温制冷工质循环闭路系统包括制冷工质循环管和超低温冷却平板，超低温冷却平板和半导体晶圆静电吸盘设置在高真空超低温冷却腔室内，半导体晶圆静电吸盘设置在超低温冷却平板上侧，超低温冷却平板上开有盘管通道，制冷工质循环管与盘管通道侧壁之间包裹有金属铟，制冷工质循环管内供制冷工质流动且制冷工质循环管两端分别伸出高真空超低温腔外侧，制冷工质循环管内通有制冷工质。该平台使得混合制冷工质在传输过程中损耗达到最小,大大提高了整个系统的能效比。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 超低温 半导体 快速 冷却 平台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
