[发明专利]一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法有效
| 申请号： | 202111389694.9 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113818087B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李利哲;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B25/18;C30B25/20;C30B28/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法，包括：衬底层、缓冲层、多晶氮化镓层、超晶格缓冲层，单晶氮化镓层和氮化镓外延片，将蓝宝石作为衬底层，在衬底层上生长缓冲层，在缓冲层上生长多晶氮化镓层，在多晶氮化镓层上生长超晶格缓冲层，在超晶格缓冲层上生长单晶氮化镓层，单晶氮化镓层的厚度均大于多晶氮化镓层的厚度和超晶格缓冲层的厚度，最后在所述单晶氮化镓层上生长氮化镓外延层。本发明采用缓冲层和多晶氮化镓层，释放来自晶格失配产生的应力，超晶格缓冲层不仅可以缓冲应力，还可以提高晶格质量，单晶氮化镓层可以提到氮化镓外延片的质量，减少位错密度，从而形成高质量的氮化镓外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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