[发明专利]具有交叉区的半导体装置在审
| 申请号： | 202111359280.1 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114639670A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | H·卡比尔;I·卡里尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有交叉区的半导体装置。一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一载流电极；第二载流电极；安置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间的第一控制电极；电耦合到所述第一载流电极的第三载流电极；以及邻近于所述第三载流电极的第四载流电极。所述第三载流电极和所述第四载流电极被配置成支持平行于第二方向的从所述第三载流电极到所述第四载流电极的电流。所述第四载流元件电耦合到所述第二载流电极和第二控制电极。所述第二控制电极电耦合到所述第一控制电极。第一交叉区电耦合到所述第一控制电极，且第二交叉区电耦合到所述第四载流电极，其中所述第二交叉区与所述第一交叉区的一部分相交。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交叉 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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