[发明专利]具有交叉区的半导体装置

说明书

本公开涉及具有交叉区的半导体装置。一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一载流电极；第二载流电极；安置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间的第一控制电极；电耦合到所述第一载流电极的第三载流电极；以及邻近于所述第三载流电极的第四载流电极。所述第三载流电极和所述第四载流电极被配置成支持平行于第二方向的从所述第三载流电极到所述第四载流电极的电流。所述第四载流元件电耦合到所述第二载流电极和第二控制电极。所述第二控制电极电耦合到所述第一控制电极。第一交叉区电耦合到所述第一控制电极，且第二交叉区电耦合到所述第四载流电极，其中所述第二交叉区与所述第一交叉区的一部分相交。

技术领域

本文中所描述的主题的实施例大体上涉及包括RF晶体管的半导体装置。

背景技术

射频晶体管和集成电路越来越多地用于大功率、高频率应用。这些大功率、高频率应用越来越需要更小的芯片大小，以实现更高的集成度和更低的成本。因此，需要芯片大小减小的半导体装置。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种半导体装置，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括上部表面和下部表面；

第一载流电极，所述第一载流电极形成于所述半导体衬底上方；

第二载流电极，所述第二载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第一载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极被配置成支持平行于第一方向的从所述第一载流电极到所述第二载流电极的电流；

第一控制电极，所述第一控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在第一载流电极与所述第二载流电极之间，其中所述第一控制电极被配置成控制电流从所述第一载流电极到所述第二载流电极的流动；

第三载流电极，所述第三载流电极形成于所述半导体衬底上方且电耦合到所述第一载流电极；

第四载流电极，所述第四载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第三载流电极，其中所述第三载流电极和所述第四载流电极被配置成支持平行于第二方向的从所述第三载流电极到所述第四载流电极的电流，并且其中所述第四载流元件电耦合到所述第二载流电极；

第二控制电极，所述第二控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在所述第三载流电极与所述第四载流电极之间，其中所述第二控制元件被配置成控制电流从所述第三载流电极到所述第四载流电极的所述流动，并且其中所述第二控制电极电耦合到所述第一控制电极；

第一交叉区，所述第一交叉区电耦合到所述第一控制电极；以及

第二交叉区，所述第二交叉区电耦合到所述第四载流电极，其中所述第二交叉区与所述第一交叉区的一部分相交。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置另外包括：

第一有源区域，所述第一有源区域形成于所述半导体衬底中，电耦合到所述第一载流电极、所述第二载流电极和所述第一控制电极；以及

第二有源区域，所述第二有源区域形成于所述半导体衬底中，电耦合到所述第三载流电极、所述第四载流电极和所述第二控制电极。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置另外包括形成于所述半导体衬底中的使所述第一有源区域与所述第二有源区域电隔离的隔离区。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置另外包括所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的连续电连接。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置另外包括：

第五载流电极，所述第五载流电极形成于所述半导体衬底上方，