[发明专利]一种光罩及其制作方法以及曝光方法在审
申请号: | 202111350363.4 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN116125744A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 虞静 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王娜 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体加工领域,公开一种光罩及其制作方法以及曝光方法。一种光罩,包括:第一图形区域以及围绕第一图形区域的第一切割道区域,第一切割道区域内具有第一测试元素组标记,且沿第一切割道区域的宽度方向,第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。光罩中第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙,即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙,在光罩的制作过程中,第二次扫描时光刻胶会将金属隔开,从而使得位于第一间隙内的金属被去除,光罩上不会有多余的金属残留,从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 及其 制作方法 以及 曝光 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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