[发明专利]一种光罩及其制作方法以及曝光方法

说明书

本发明涉及半导体加工领域，公开一种光罩及其制作方法以及曝光方法。一种光罩，包括：第一图形区域以及围绕第一图形区域的第一切割道区域，第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿第一切割道区域的宽度方向，第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。光罩中第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种光罩及其制作方法以及曝光方法。

背景技术

随着电子产业的高速发展，在液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、集成电路(Integrated Circuit，IC)等电子制造行业中，光罩成为了必不可少的重要模具之一，其应用越来越广泛。PSM(Phase Shift Mask，相位转移掩膜)光罩在制作过程中需要进行第二次扫描，以将多余的金属去除掉，但仍然有金属残留，从而使得芯片制程中损害到芯片图形区域的条形图形形貌。

发明内容

根据一些实施例，本申请第一方面提供一种光罩，包括：第一图形区域以及围绕所述第一图形区域的第一切割道区域，所述第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿所述第一切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记的侧边与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。

本申请的实施例至少具有以下优点：

光罩中第一测试元素组标记位于第一切割道区域内，且第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。

在一些实施例中，所述第一测试元素组标记的形状为矩形，所述第一测试元素组标记的侧边包括平行设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边以及所述第二侧边的延伸方向均与所述第一切割道区域的延伸方向相同，所述第一切割道区域的边缘包括第一边缘和第二边缘，所述第一边缘位于所述第一侧边背离所述第二侧边的一侧，所述第二边缘位于所述第二侧边背离所述第一侧边的一侧；

所述第一侧边与所述第一边缘之间具有所述第一间隙；和/或，

所述第二侧边与所述第二边缘之间具有所述第一间隙。

在一些实施例中，所述第一间隙a满足：a≥0.5μm。

在一些实施例中，所述第一测试元素组标记的宽度d₁与所述第一切割道区域的宽度D₁之间满足如下关系：

d₁≤λ₁D₁

其中，λ₁的范围为80％-85％。

在一些实施例中，所述光罩还包括第二图形区域以及围绕所述第二图形区域的第二切割道区域，所述第二切割道区域与所述第一切割道区域存在重叠区域；所述第二切割道区域内具有第二测试元素组标记，所述第二测试元素组标记位于所述重叠区域，所述第二测试元素组标记与所述第一测试元素组标记沿第一方向排列，其中，所述第一方向为所述第一图形区域与所述第二图形区域的排列方向；

沿所述第一方向，所述第二测试元素组标记的侧边与所述第二切割道区域中邻近所述第二测试元素组标记的边缘之间具有第二间隙。