[发明专利]用于半导体制备的刻蚀方法、设备、应用、半导体结构在审
| 申请号： | 202111339550.2 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN116130338A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 南兌澔;李大烨 | 申请（专利权）人： | 成都高真科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体制备的刻蚀方法、设备，包括在图案形成后依次对光刻胶层、绝缘膜层、硬掩膜、硬掩膜的下部膜层进行刻蚀，在对硬掩膜的下部膜层进行刻蚀前对硬掩膜硬化处理，增强了硬掩膜层的结构强度，从而增强SOC或SOH的耐蚀性。在进行下部膜层的刻蚀时避免过刻蚀现象，SOC或SOH的膜层厚度就可以达到理想的最佳的厚度，从而满足对尺寸的要求，避免后续工艺的不良。此刻蚀方法及设备可以应用于制备半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制备 刻蚀 方法 设备 应用 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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