[发明专利]一种半导体设备真空管的冷却结构在审
| 申请号： | 202111303470.1 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN116092966A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐康元 | 申请（专利权）人： | 成都高真科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 陈法君 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体设备真空管的冷却结构，所述冷却结构包括：夹套，所述夹套包裹设置于真空管的外侧，并与所述真空管的管壁形成冷却流道空间；泵体，所述泵体设置于真空管的管体之上；冷却系统，所述冷却系统同夹套与真空管形成的冷却流道空间连通，并循环为所述流道空间提供冷却液；洗涤器，所述洗涤器设置于所述泵体的下游，并配置为对流入其中的凝结颗粒物进行洗出。通过本冷却结构设计使得真空管的凝结物能够快速形成，以便所述凝结物能够被快速洗出，进而防止凝结颗粒附着沉积于整个真空管内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 真空管 冷却 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都高真科技有限公司，未经成都高真科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111303470.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
