[发明专利]一种半导体设备真空管的冷却结构在审
| 申请号: | 202111303470.1 | 申请日: | 2021-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN116092966A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
| 发明(设计)人: | 徐康元 | 申请(专利权)人: | 成都高真科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 陈法君 |
| 地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体设备 真空管 冷却 结构 | ||
本发明公开了一种半导体设备真空管的冷却结构,所述冷却结构包括:夹套,所述夹套包裹设置于真空管的外侧,并与所述真空管的管壁形成冷却流道空间;泵体,所述泵体设置于真空管的管体之上;冷却系统,所述冷却系统同夹套与真空管形成的冷却流道空间连通,并循环为所述流道空间提供冷却液;洗涤器,所述洗涤器设置于所述泵体的下游,并配置为对流入其中的凝结颗粒物进行洗出。通过本冷却结构设计使得真空管的凝结物能够快速形成,以便所述凝结物能够被快速洗出,进而防止凝结颗粒附着沉积于整个真空管内。
技术领域
本发明属于半导体设备真空管冷却领域,尤其涉及一种半导体设备真空管的冷却结构。
背景技术
目前,半导体生产工艺中(例如CVD,PECVD,ETCH)有大量的可凝生成物的生成。而一个洁净的半导体真空管道可以大大增加设备的利用率,延长真空泵的寿命,提高成品的良率,并减少后期维修以及维修过程操作工人和有毒气体的接触。
现有技术为了避免了管道的堵塞,以保证半导体生产设备的正常运行,多通过加热处理来控制可凝颗粒在真空管的累积。
例如,专利:一种用于半导体真空管道加热的电磁加热装置(202020966219.8),公开了:为解决现有技术对于半导体真空管道的加热效率低、会造成环境温度上升、使用寿命短以及存在安全隐患的问题。所述加热体包括内筒、海绵和水道,内筒包括内层内筒和外层内筒,内层内筒的高度低于外层内筒的高度,水道位于内层内筒和外层内筒中间的下端,海绵位于内层内筒上端和外层内筒内侧位置,海绵与外层内筒内侧面贴合固定,海绵与内层内筒上端面贴合固定,所述加热体的中间放置有半导体真空管道,内层内筒的内侧面和海绵的内侧面均与半导体真空管道外侧面贴合。
专利:一种用于半导体真空管道加热的卡扣式加热器(201620570457.0),公开的卡扣式加热器,其包括第一加热半环和第二加热半环,所述第一加热半环和第二加热半环均包括高导热内衬,所述高导热内衬上具有用于容置待加热法兰的卡槽,且所述高导热内衬上贴设有发热膜,所述高导热内衬和发热膜外包覆有气凝胶保温层,且所述第一加热半环和第二加热半环均通过连接线连接有接插件,所述接插件插接于电源上给发热膜供电。上述卡扣式加热器将发热膜紧贴在高导热内衬上,使得即使在局部接触的情况下,加热器内表面的温度仍然非常均匀。从而大大延长了加热器的寿命。同时,真正使得卡扣的温度和直管的温度非常接近,彻底消除了由于局部低温所导致的卡扣堵塞的问题。
但是,现有技术的处理方式,因为可凝物质仍处于真空管道内,通过加热处理仍然无法避免可凝颗粒在管道上累积和附着。因此,亟需一种能够尽可能降低真空管体内可凝物质,从而降低可凝颗粒累积的处理装置。
发明内容
本发明的目的在于,为克服现有技术缺陷,提供了一种半导体设备真空管的冷却结构,通过本冷却结构设计使得真空管的凝结物能够快速形成,以便所述凝结物能够被快速洗出,进而防止凝结颗粒附着沉积于整个真空管内。
本发明目的通过下述技术方案来实现:
一种半导体设备真空管的冷却结构,所述冷却结构包括:夹套,所述夹套包裹设置于真空管的外侧,并与所述真空管的管壁形成冷却流道空间;泵体,所述泵体设置于真空管的管体之上;冷却系统,所述冷却系统同夹套与真空管形成的冷却流道空间连通,并循环为所述流道空间提供冷却液;洗涤器,所述洗涤器设置于所述泵体的下游,并配置为对流入其中的凝结颗粒物进行洗出。
根据一个优选的实施方式,经冷却系统流入冷却流道空间的冷却液的温度为-30℃~30℃。
根据一个优选的实施方式,所述冷却系统包括制冷器、换热器、进液管、出液管和冷却液;所述制冷器经进液管与所述冷却流道空间相连通;所述出液管一端与冷却流道空间连通另一端与换热器连通,且所述换热器与制冷器相连;所述冷却液位于制冷器、换热器、进液管和出液管的腔体内。
根据一个优选的实施方式,所述换热器不限于采用浮头式换热器、固定管板式换热器、U形管板换热器和板式换热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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