[发明专利]半导体结构及三维存储器在审
| 申请号： | 202111249261.3 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114023750A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴双双;周文犀;张坤;张中 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的良率和可靠性，以及降低三维存储器的制作难度。半导体结构包括：衬底、存储堆叠结构、至少一个第一墙结构和至少一个第二墙结构。存储堆叠结构位于衬底的一侧，且具有沿第一方向设置的台阶区和核心阵列区；第一墙结构沿所述第一方向延伸；第二墙结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；所有第一墙结构和所有第二墙结构均位于台阶区；至少一个第二墙结构的高度小于第一墙结构的高度。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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