[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111197901.0 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114944364A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张喆淳;金想起;郑一根;韩正勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。沟槽可以由所述半导体器件的一个或更多个内表面限定，以形成在所述划线道区域中。所述裂纹阻挡层可以位于所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，并可以被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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