[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。沟槽可以由所述半导体器件的一个或更多个内表面限定，以形成在所述划线道区域中。所述裂纹阻挡层可以位于所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，并可以被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年2月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2021-0019700的优先权，该韩国专利申请的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，一些示例实施例涉及包括其中可以布置有多个半导体芯片的芯片区域和被构造为将芯片区域彼此分开的划线道(scribe lane)区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

通常，形成在半导体衬底上的多个半导体芯片可以由划线道区域分隔。可以沿着划线道区域切割半导体衬底，以将半导体芯片单分(例如，分离)成独立的半导体芯片。

根据相关技术，在切割工艺期间在划线道区域中产生的裂纹可能扩展到半导体芯片中。裂纹会造成半导体芯片错误。

发明内容

一些示例实施例提供了可以能够抑制在切割半导体衬底时产生的裂纹扩展到半导体芯片中的半导体器件。

一些示例实施例提供了制造以上提到的半导体器件的方法。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括半导体衬底、坝结构、电介质层、绝缘中间层、导电图案和感光绝缘层。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。所述坝结构可以位于所述半导体衬底的所述划线道区域中。所述电介质层可以位于所述半导体衬底的上表面上。所述绝缘中间层可以位于所述电介质层的上表面上。所述导电图案可以位于所述绝缘中间层的上表面上。所述感光绝缘层可以位于所述导电图案的上表面上。所述半导体器件的一个或更多个内表面可以限定沟槽，所述沟槽在所述划线道区域中延伸穿过所述绝缘中间层和所述电介质层，以暴露所述坝结构。所述半导体器件还可以包括可以连接到所述坝结构的裂纹阻挡层，所述裂纹阻挡层位于所述沟槽的底表面和内侧表面的至少一部分上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述感光绝缘层可以包括至少部分地填充所述沟槽的裂纹阻挡部分，所述裂纹阻挡部分被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。所述半导体器件的一个或更多个内表面可以在所述划线道区域中限定沟槽。所述裂纹阻挡层可以形成在所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，所述裂纹阻挡部分被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。