[发明专利]一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202111156517.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114038910A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;武乐可;黄克强;秦佳明;王强;宋亮;朱友华;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/45;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，新型GaNHEMT器件包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；所述组合接触结构设置在增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层的上部；所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触；所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。本发明通过欧姆接触部提供足够的空穴，以消除“浮动p‑GaN”效应，通过肖特基接触部的设置减少欧姆接触的栅极漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组合 接触 结构 新型 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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