[发明专利]一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件

说明书

本发明涉及了一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，新型GaNHEMT器件包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；所述组合接触结构设置在增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层的上部；所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触；所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。本发明通过欧姆接触部提供足够的空穴，以消除“浮动p‑GaN”效应，通过肖特基接触部的设置减少欧姆接触的栅极漏电。

技术领域

本发明涉及开关器件技术领域，特别是涉及一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件。

背景技术

GaN基功率器件由于耐高压、耐高温、功率密度高的优势，在电力电子领域有着广阔的应用前景，GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)由于极化作用具有二维电子气(2DEG)。耗尽型GaN HEMT器件的结构如图1所示。但是为了电路的安全及效率考虑，在实际应用中需求的大多数是增强型GaN HEMT器件。增强型GaN HEMT器件可通过在耗尽型GaN HEMT器件顶部添加p-GaN帽层来实现，结构如图2所示，该p-GaN栅HEMT可通过调节器件外延层结构如AlxGa1-xN势垒层厚度和/或其铝组分x％使阈值电压Vth1.0V。但是现有的增强型GaNHEMT器件存在较高栅极漏电或“浮动p-GaN”效应的缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，以克服增强型GaNHEMT器件存在较高栅极漏电或“浮动p-GaN”效应的缺陷，提供一种栅极漏电小且无“浮动p-GaN”效应GaN HEMT器件。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

本发明提供一种组合接触结构，包括欧姆接触部和肖特基接触部。

可选的，所述欧姆接触部和所述肖特基接触部的数量均为多个；多个所述欧姆接触部和多个所述肖特基接触部交替设置。

可选的，相邻两个欧姆接触部之间的距离小于1000um，多个所述肖特基接触部的总接触面积大于多个所述欧姆接触部的总接触面积。

可选的，包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；

所述组合接触结构设置在增强型GaN HEMT器件的p-GaN帽层的上部；

所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p-GaN帽层形成欧姆接触；

所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p-GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。

可选的，所述增强型GaN HEMT器件从下到上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p-GaN帽层。

可选的，所述增强型GaN HEMT器件从下到上依次包括衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p-GaN帽层。

可选的，所述欧姆接触部和所述肖特基接触部的数量均为多个；

多个所述欧姆接触部和多个所述肖特基接触部交替设置。

可选的，相邻两个欧姆接触部之间的距离小于1000um。

可选的，多个所述肖特基接触部的总接触面积大于多个所述欧姆接触部的总接触面积。

可选的，所述欧姆接触部的数量为两个，分别为第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，所述肖特基接触部的数量为三个，分别为第一肖特基接触部、第二肖特基接触部和第三肖特基接触部；

所述第一肖特基接触部、所述第一欧姆接触部、所述第二肖特基接触部、所述第二欧姆接触部和所述第三肖特基接触部依次设置。