[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111138421.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115884589A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;洪海涵;黄俊杰;王晓玲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：基底，基底包括间隔排布的有源层以及位于相邻有源层之间的隔离结构，基底上具有依次堆叠设置的介质层和电连接层；第一掺杂导电层和第二掺杂导电层，第二掺杂导电层贯穿介质层以及电连接层，还位于基底内，第一掺杂导电层位于第二掺杂导电层侧壁以及底部，第一掺杂导电层内掺杂有第一掺杂离子，第二掺杂导电层内掺杂有第二掺杂离子，且第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度。本申请实施例可以解决半导体结构中位线接触结构内部具有间隙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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