[发明专利]一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路及系统在审

专利信息
申请号: 202111133772.9 申请日: 2021-09-27
公开(公告)号: CN113726322A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 李文靖 申请(专利权)人: 李文靖
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/081
代理公司: 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 代理人: 张立荣
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路。其技术方案包括:脉冲变压器、第一稳压管、第二稳压管、第三二极管、NPN型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻;本发明还提出一种MOSFET驱动系统,包括MOSFET驱动电路以及与MOSFET驱动电路相连的驱动芯片,驱动芯片用于生成并输出双极性的PWM信号;还包括PMOS管以及与MOSFET驱动电路相连用于向PMOS管稳流输出的驱动保护电路。本发明可以在一定程度上改善脉冲变压器的直流偏磁现象;对PMOS管的状态实时监测,当监测PMOS管故障时,瞬间断开驱动芯片和MOSFET驱动电路对PMOS管的驱动状态;通过直接对驱动芯片断开,可避免MOSFET驱动电路阻抗失衡的情况,同时可避免PMOS管被直接击穿的情况。
搜索关键词: 一种 阻抗 相等 mosfet 驱动 电路 系统
【主权项】:
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