[发明专利]一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111129485.0 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113897676A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张骏;张毅;陈云;岳金顺 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/04;C30B25/06;C30B25/18;C30B28/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 柏琳容 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长AlN一次外延层；对AlN一次外延层远离蓝宝石衬底一侧进行图形化处理；在AlN一次外延层进行图形化处理的一侧外延生长高温AlN层，得到无裂纹AlN外延膜；AlN一次外延层由第一AlN层和第二AlN层交替生长形成，第一AlN层的生长温度大于第二AlN层的生长温度，第一AlN层的V/III比小于第二AlN层的V/III比。本发明通过在AlN缓冲层和高温AlN层之间引入AlN一次外延层，并对AlN一次外延层进行图形化处理，不仅使高温AlN层的均匀性显著提高，还能够很好地释放生长过程中积累的热应力，防止AlN薄膜开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 裂纹 aln 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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