[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111128076.9 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN114497014A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 太田智明;田中诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括具有在表面上的源极电极的功率MOS芯片、以及安装在功率MOS芯片一部分上的控制芯片，其中从功率MOS芯片的沿第一方向延伸的第一外边缘向控制芯片观察，第一列接合焊盘以及第二列接合焊盘被形成在源极电极的未安装有控制芯片的区域，并且其中功率MOS芯片的沿第二方向延伸的第二外边缘与第一列接合焊盘之间的距离，比第二外边缘与第二列接合焊盘之间的距离长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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