[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

功率MOS芯片，具有在表面上的源极电极；以及

控制芯片，安装在所述功率MOS芯片的一部分上，

其中从所述功率MOS芯片的沿第一方向延伸的第一外边缘向控制芯片观察，第一列接合焊盘以及第二列接合焊盘被形成在未安装有所述控制芯片的所述源极电极的区域中，以及

其中所述功率MOS芯片的沿第二方向延伸的第二外边缘与所述第一列接合焊盘之间的距离，比所述第二外边缘与所述第二列接合焊盘之间的距离长。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述功率MOS芯片具有第一接合焊盘和第二接合焊盘，

其中所述控制芯片具有第三接合焊盘和第四接合焊盘，

其中所述第一接合焊盘通过第一接合线被耦合到所述第三接合焊盘，并且

其中所述第二接合焊盘通过第二接合线被耦合到所述第四接合焊盘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述功率MOS芯片具有所述源极电极的未安装有所述控制芯片的第一区域和第二区域，

其中所述第一区域是在所述第一外边缘与所述控制芯片之间的区域，

其中所述第二区域是在所述功率MOS芯片的沿所述第一方向延伸的第三外边缘与所述控制芯片之间的区域，

其中所述第一列接合焊盘和所述第二列接合焊盘被形成在所述第一区域中，并且

其中第三列接合焊盘还被形成在所述第二区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中第四列接合焊盘还被形成在所述第二区域中，并且

其中所述第一列接合焊盘和所述第二列接合焊盘、以及所述第三列接合焊盘和所述第四列接合焊盘，相对于所述控制芯片的安装点线对称地形成。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一列接合焊盘和所述第二列接合焊盘中的每列接合焊盘由多个接合焊盘组成。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一列接合焊盘至第三列接合焊盘中的每列接合焊盘由矩形接合焊盘形成。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二外边缘与所述第三列接合焊盘之间的距离，比所述第二外边缘与所述第一列接合焊盘之间的距离短，并且比所述第二外边缘与所述第二列接合焊盘之间的距离长。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中在所述源极电极的未安装有所述控制芯片的区域中形成多个列接合焊盘，

其中从所述第一外边缘向所述控制芯片观察，奇数列接合焊盘与所述第二外边缘之间的距离逐渐减小，并且

其中从所述第一外边缘向所述控制芯片观察，偶数列接合焊盘与所述第二外边缘之间的距离逐渐增加。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述半导体装置是智能功率设备IPD。