[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202111103889.2 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113555318B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨家诚;范纲伦;葛峰 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/265;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构的制造方法包括：在所述衬底上蚀刻多个沟槽，以将所述衬底区分为多个有源结构；在所述有源结构上由下而上形成第一掺杂区、栅极区和第二掺杂区；并在所述沟槽内沉积隔离结构；在隔离结构内依次沉积金属层和第一半导体层，以形成源极线；在所述隔离结构和所述有源结构上共用栅极，且所述共用栅极覆盖所述栅极区。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，改善半导体结构的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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