[发明专利]一种超薄半导体基板加工工艺在审
| 申请号： | 202111015071.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113707564A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 赵丹 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄半导体基板加工工艺，包括以下步骤：S1、将半导体基板固定后于底部喷吹气流将半导体基板吹平；S2、在半导体基板顶面涂布聚酰亚胺，固化后形成聚酰亚胺薄膜；S3、将半导体基板底部键合在Si载板上；S4、通过溶剂溶解除去聚酰亚胺薄膜；S5、将半导体基板与Si载板置于高温炉管中加热形成永久键合，以进行后续的晶圆制程。本发明通过气流将超薄半导体基板吹平，通过涂布聚酰亚胺固化形成聚酰亚胺薄膜对半导体基板进行定型，防止半导体基板边缘再次发生翘曲，将半导体基板键合在Si载板进行后续的半导体基板基板元件制造，可以利用现行的Si片生产线进行半导体基板的加工，提高了晶圆的产线效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 半导体 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
