[发明专利]一种超薄半导体基板加工工艺在审
| 申请号： | 202111015071.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113707564A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 赵丹 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 半导体 加工 工艺 | ||
1.一种超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将半导体基板固定后于底部喷吹气流将半导体基板吹平；
S2、在半导体基板顶面涂布聚酰亚胺，固化后形成聚酰亚胺薄膜；
S3、将半导体基板底部在一定的压力及温度下键合在Si载板上；
S4、除去聚酰亚胺薄膜；
S5、将半导体基板与Si载板置于高温炉管中加热形成永久键合，以进行后续的晶圆制程。
2.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S1中通过惰性气体竖直向上喷吹,半导体基板内圈的气流强度大于外圈。
3.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S2中涂布聚酰亚胺薄膜厚度大于晶圆厚度的一半，所述聚酰亚胺的固化温度为300-400℃。
4.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中先Si载板和半导体基板基板清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对Si载板表面处理，激发Si载板原子活性键，再将多个半导体基板水平排列键合在Si载板表面。
5.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S4中通过氧气电浆或高极性溶剂溶解除去聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S5中通过高温炉管使半导体基板与Si载板加热至800-1400℃，使半导体基板与Si载板接触面形成永久键合。
7.根据权利要求1所述的超薄半导体基板加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中半导体基板与Si载板键合的压力为4000N-6000N，温度为180-200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
