[发明专利]半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法

摘要

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括反应腔和位于反应腔下方的传输腔，反应腔通过底部开口与传输腔连通，半导体工艺腔室中设置有可在反应腔与传输腔之间升降的基座，还设置有密封环和第一弹性密封筒，二者均设置于基座的下方且套设在基座的升降轴上，第一弹性密封筒的顶端在密封环的内孔处与密封环的底壁密封连接，底端在传输腔底部供升降轴穿出的通孔处与传输腔的底壁密封连接，第一弹性密封筒能够在基座上升至反应腔时，通过弹力驱动密封环上升并封闭反应腔的底部开口。本发明能够改善反应腔的控压效果，提高半导体工艺的工艺效果，并缩短传片时间，提高半导体工艺的成膜效率。本发明还提供一种半导体工艺设备和一种半导体工艺方法。