[发明专利]半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，包括反应腔和位于所述反应腔下方的传输腔，所述反应腔通过底部开口与所述传输腔连通，所述半导体工艺腔室中设置有可通过所述底部开口在所述反应腔与所述传输腔之间升降的基座，其特征在于，所述半导体工艺腔室中还设置有密封环和第一弹性密封筒，所述密封环和所述第一弹性密封筒均设置于所述基座的下方且套设在所述基座的升降轴上，所述第一弹性密封筒的顶端在所述密封环的内孔处与所述密封环的底壁密封连接，所述第一弹性密封筒的底端在所述传输腔底部供所述升降轴穿出的通孔处与所述传输腔的底壁密封连接，所述第一弹性密封筒能够在所述基座上升至所述反应腔时，通过弹力驱动所述密封环上升并封闭所述反应腔的所述底部开口。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一弹性密封筒为波纹管。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一弹性密封筒的底端具有连接法兰，所述传输腔的底壁上环绕所述通孔形成有第一环形容纳槽，所述第一弹性密封筒底端的所述连接法兰密封设置在所述第一环形容纳槽中。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述基座具有环绕所述基座轴线分布的多个基座孔，多个所述基座孔中一一对应地设置有多个支撑柱，所述支撑柱用于在基座上升时沿所述基座孔相对于所述基座下降，并在所述支撑柱的顶面与所述基座的承载面相平后随所述基座一同上升，以及，在所述基座下降至所述支撑柱的底端与所述传输腔的底壁接触后支撑并抬起所述基座上的晶圆；所述第一弹性密封筒环绕于多个所述支撑柱的外侧。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述密封环包括凹盘和凹盘法兰，所述凹盘法兰环绕所述凹盘设置且与所述凹盘的外沿固定连接，所述凹盘法兰用于与所述反应腔的底部接触，所述凹盘朝向基座的一侧具有容纳凹槽，用于在所述基座下降至所述反应腔时容纳所述基座。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述反应腔的底部具有环绕所述底部开口的第二环形容纳槽，所述第二环形容纳槽用于容纳所述凹盘法兰。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括多个所述反应腔，各所述反应腔均通过所述底部开口与所述传输腔连通，所述传输腔中设置有传输机械手，用于在不同所述反应腔对应的所述基座之间转移晶圆。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，多个所述反应腔对应的多个所述基座环绕所述传输机械手设置，所述传输机械手包括驱动组件、上端法兰以及固定设置在所述上端法兰上的传输手指，所述驱动组件用于驱动所述上端法兰及其上固定的所述传输手指作升降动作和旋转动作，以使所述传输手指将部分所述基座上的晶圆取下，并将所述晶圆放置在其他所述基座上。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至8中任意一项所述的半导体工艺腔室。

10.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法应用于权利要求9所述的半导体工艺设备，所述方法包括：

向所述基座上放置工艺前晶圆；

控制所述基座上升至所述反应腔，以使所述密封环上升并封闭所述反应腔的所述底部开口；

进行半导体工艺；

控制所述基座下降至所述传输腔；

取下所述基座上的工艺后晶圆。