[发明专利]异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法在审
| 申请号： | 202110993918.0 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN115938928A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 钟观发;吴坚;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/20 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 孙凤 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，包括如下步骤：将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗以去除至少部分非晶硅层，所述氧化剂为臭氧和/或双氧水和/或次氯酸和/或浓硫酸；将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗以去除剩余的非晶硅层并得到表面平整的硅片，所述碱液中的碱为氢氧化钾或氢氧化钠或四甲基氢氧化氨；能够完全去除非晶硅层，特别是P型非晶硅层，且能够获得表面平整的硅片，有利于后续制绒后在硅片表面形成均匀的绒面，有利于提高后续镀膜的均匀性，进而提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 电池 cvd 缺陷 返工 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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