[发明专利]异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法

权利要求书

1.一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法；其特征在于：所述返工工艺方法包括如下步骤：

将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗以去除至少部分非晶硅层，所述氧化剂为臭氧和/或双氧水和/或次氯酸和/或浓硫酸；

将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗以去除剩余的非晶硅层并得到表面平整的硅片，所述碱液中的碱为氢氧化钾或氢氧化钠或四甲基氢氧化氨。

2.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：含氧化剂的HF酸洗液中所述氧化剂的浓度为30～50ppm。

3.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：以体积计，含氧化剂的HF酸洗液中所述HF的含量为2％～5％。

4.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：“将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗”的酸洗时间为180s～240s。

5.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：以体积计，所述碱液中的碱含量为15％。

6.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：“将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗”的碱洗温度为75℃～85℃，碱洗时间为140s～260s。

7.如权利要求1所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：在得到表面平整的硅片后，所述返工工艺方法还包括如下步骤：将所述硅片置于含碱与双氧水的混合液中进行清洗；所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠或者氢氧化铵。

8.如权利要求7所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：在“将所述硅片置于含碱与双氧水的混合液中进行清洗”后，所述返工工艺方法还包括如下步骤：

对清洗后的硅片进行制绒处理，得到具有绒面的硅片。

9.如权利要求8所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：在“得到具有绒面的硅片”后，所述返工工艺方法还包括如下步骤：

将具有绒面的所述硅片置于含碱与双氧水的混合液中进行清洗；所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠或者氢氧化铵；

将经含碱与双氧水的混合液清洗后的硅片置于含盐酸和双氧水的混合液中进行酸洗；

将酸洗后的硅片置入HF酸洗液中再次酸洗；

烘干。

10.如权利要求7或9所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：以体积计，含碱与双氧水的混合液中碱的含量为1.5％，双氧水的含量为8％。

11.如权利要求7或9所述的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，其特征在于：“所述硅片置于含碱与双氧水的混合液中进行清洗”中的清洗温度为60℃～70℃，清洗时间为240s～360s。