[发明专利]异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法

说明书

本发明提供一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，包括如下步骤：将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗以去除至少部分非晶硅层，所述氧化剂为臭氧和/或双氧水和/或次氯酸和/或浓硫酸；将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗以去除剩余的非晶硅层并得到表面平整的硅片，所述碱液中的碱为氢氧化钾或氢氧化钠或四甲基氢氧化氨；能够完全去除非晶硅层，特别是P型非晶硅层，且能够获得表面平整的硅片，有利于后续制绒后在硅片表面形成均匀的绒面，有利于提高后续镀膜的均匀性，进而提高电池效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池，尤其涉及一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法。

背景技术

目前，大规模开发利用太阳能光伏发电的核心在于提升太阳能电池的光电转换效率和降低太阳能电池的生产成本。带有本征层的硅基异质结太阳能电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，另，在硅基异质结太阳能电池制备过程中，可以用200℃以下的低温非晶硅沉积技术来取代传统晶硅电池生产工艺中的高温过程，因而有望成为单晶硅电池的廉价替代物，在实现低价高效太阳电池方面具有非常重要的应用前景。

相较于PERC太阳能电池，硅基异质结太阳能电池需要采用质量较高的硅片衬底也是成本偏高的重要因素之一，目前，硅基异质结太阳能电池中硅片的成本占比接近40％，硅片成本的控制也是有效降低成本的途径之一。在硅片方面，硅基异质结太阳能电池采用薄片来降低成本，同时将生产过程中的缺陷片进行返工也可以进一步降低硅片带来的成本损失。

在硅基异质结太阳能电池制程中，特别是CVD工序，对硅片表面的洁净度及钝化效果要求较高，易因设备或人为等因素产生缺陷片。目前，行业内常用的CVD后缺陷片返工工艺方法为：直接通过二次制绒去除硅片表面的非晶硅薄膜。但是，二次制绒难以完全去除非晶硅层，且无法获得表面洁净均匀的硅片，再次镀膜时会污染镀膜腔体，导致后续CVD镀膜过程中腔体内交叉污染，易产生更多的缺陷片。

有鉴于此，有必要提供一种新的异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法，能够完全去除缺陷片中的非晶硅层，且能够获得表面平整的硅片，有利于后续制绒后在硅片表面形成均匀的绒面。

为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：一种异质结电池CVD后的缺陷片的返工工艺方法；包括如下步骤：

将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗以去除至少部分非晶硅层，所述氧化剂为臭氧和/或双氧水和/或次氯酸和/或浓硫酸；

将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗以去除剩余的非晶硅层并得到表面平整的硅片，所述碱液中的碱为氢氧化钾或氢氧化钠或四甲基氢氧化氨。

作为本发明进一步改进的技术方案，含氧化剂的HF酸洗液中所述氧化剂的浓度为30～50ppm。

作为本发明进一步改进的技术方案，以体积计，含氧化剂的HF酸洗液中所述HF的含量为2％～5％。

作为本发明进一步改进的技术方案，“将所述缺陷片置于含氧化剂的HF酸洗液中进行酸洗”的酸洗时间为180s～240s。

作为本发明进一步改进的技术方案，以体积计，所述碱液中的碱含量为15％。

作为本发明进一步改进的技术方案，“将酸洗后的所述缺陷片置于碱液中进行碱洗”的碱洗温度为75℃～85℃，碱洗时间为140s～260s。

作为本发明进一步改进的技术方案，在得到表面平整的硅片后，所述返工工艺方法还包括如下步骤：将所述硅片置于含碱与双氧水的混合液中进行清洗；所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠或者氢氧化铵。