[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110961599.5 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113690188B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;洪海涵;黄俊杰;王晓玲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括提供基底，在基底上形成位线接触区，位线接触区内具有第一凹槽；在第一凹槽内形成第一位线接触层，第一凹槽内的第一位线接触层围合成第二凹槽；在第二凹槽内形成扩散层，位于第二凹槽内的扩散层围合成第三凹槽；在第三凹槽内形成第二位线接触层，位于第三凹槽内的第二位线接触层具有缝隙；对扩散层进行处理，以使扩散层中的离子向第一位线接触层和第二位线接触层中扩散，并填充满缝隙。本公开通过在位线接触区内形成扩散层，并对扩散层进行处理，有效修复半导体结构中的深层缝隙，进而减小半导体结构的电阻，从而有效提高产品良率和半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110961599.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
