[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 202110953535.0 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115050667A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 水谷卓也;小峰信洋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够实现工艺的稳定化的半导体制造装置以及半导体制造方法。实施方式的半导体制造装置具有旋转部、喷嘴、第一电极、及第二电极。旋转部对具有外周部的基板进行保持，使基板旋转。喷嘴向基板的外周部供给抗蚀剂液。第一电极对从喷嘴排出的抗蚀剂液附加电荷。第二电极配置于与第一电极不同的位置，以使抗蚀剂液的至少一部分朝向基板的外周侧的方式使库仑力作用于抗蚀剂液。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
