[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法

说明书

实施方式提供能够实现工艺的稳定化的半导体制造装置以及半导体制造方法。实施方式的半导体制造装置具有旋转部、喷嘴、第一电极、及第二电极。旋转部对具有外周部的基板进行保持，使基板旋转。喷嘴向基板的外周部供给抗蚀剂液。第一电极对从喷嘴排出的抗蚀剂液附加电荷。第二电极配置于与第一电极不同的位置，以使抗蚀剂液的至少一部分朝向基板的外周侧的方式使库仑力作用于抗蚀剂液。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2021－037784号(申请日：2021年3月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体制造装置以及半导体制造方法。

背景技术

在半导体制造工序中，已知有将抗蚀剂涂覆于基板的外周部的抗蚀剂涂覆方法。

发明内容

本发明将要解决的技术问题在于，提供能够实现工艺的稳定化的半导体制造装置以及半导体制造方法。

实施方式的半导体制造装置具有旋转部、喷嘴、第一电极、第二电极。所述旋转部对具有外周部的基板进行保持，使所述基板旋转。所述喷嘴向所述基板的所述外周部供给抗蚀剂液。所述第一电极对从所述喷嘴排出的所述抗蚀剂液附加电荷。所述第二电极配置于与所述第一电极不同的位置，以使所述抗蚀剂液的至少一部分朝向所述基板的外周侧的方式使库仑力作用于所述抗蚀剂液。

附图说明

图1是表示第一实施方式的抗蚀剂涂覆装置的整体构成的示意构成图。

图2是表示第一实施方式的抗蚀剂涂覆装置的主要部分以及硅基板的构成的示意剖面图。

图3是表示第一实施方式的抗蚀剂涂覆装置的主要部分的立体图。

图4是表示第二实施方式的抗蚀剂涂覆装置的主要部分的立体图。

图5是表示第三实施方式的抗蚀剂涂覆装置的主要部分的立体图。

附图标记说明

1、2、3…抗蚀剂涂覆装置(半导体制造装置)，5…硅基板(基板)，5A…第一层，5B…第二层，5C…第三层，5E…外周侧，5W…基材，6…外周部，7…中央区域，10…旋转部，11…旋转卡盘(旋转部)，12…马达(旋转部)，20…排出部，21…喷嘴(排出部)，22…喷嘴位置调整部(排出部)，30…第一电极，40、41…第二电极，50…抗蚀剂液供给源，51…抗蚀剂液，52…排出路径，60…电源，70…电极移动部，80…控制部，90…静电偏转部，91…第一偏转电极，92…第二偏转电极(第二电极)，P…中心。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式的抗蚀剂涂覆装置(半导体制造装置)以及抗蚀剂涂覆方法(半导体制造方法)进行说明。

在以下的说明中，对具有相同或者类似的功能的构成标注相同的附图标记。而且，有时省略这些构成的重复的说明。附图为示意性或者概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并非必须与现实相同。

首先，对X方向、Y方向以及Z方向进行定义。X方向以及Y方向是沿着后述的硅基板5的表面的方向。Z方向是与X方向以及Y方向交叉(例如正交)的方向。换言之，Z方向是硅基板5的厚度方向，并且是与硅基板5垂直的方向。在Z方向上，有时将从后述的喷嘴21朝向硅基板5的方向称作俯视。

(第一实施方式)

＜抗蚀剂涂覆装置的整体构成＞

首先，对第一实施方式的抗蚀剂涂覆装置1的整体构成进行说明。

图1是表示抗蚀剂涂覆装置1的构成的示意构成图。图2是表示抗蚀剂涂覆装置1的主要部分以及硅基板5的构成的示意剖面图。