[发明专利]一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件在审
| 申请号： | 202110949926.5 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113707545A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 何昌 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 王再兴 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件，该方法提供一半导体衬底，半导体衬底上设有外延片，在所述外延片上生长一层栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积一层多晶硅层,在多晶硅层的表面涂光刻胶，采用刻蚀机进行刻蚀，形成第一沟槽；定义P型体区，将多晶硅层增加一层光罩；采用离子注入工艺在所述P型体区内注入P型离子后退火；通过定义P型体区，增加一层光罩，从而可以在增加P型体区注入掺杂浓度情况下，有利于降低寄生BJT基区的电阻；减小P型体区电阻，但不影响沟道浓度，因此可以极大的提高器件雪崩特性的同时，使得器件其它特性保持不变，工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mosfet 雪崩 特性 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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