[发明专利]半导体器件的制作方法和三维存储器在审
| 申请号： | 202110949713.2 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113782537A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 姚森;谢飞;孙鹏;王猛;朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11548;H01L27/11575;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法和三维存储器。所述方法包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括：沿第一方向交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层；去除所述核心区中的所述牺牲层，以在所述核心区中形成第一间隙；形成填充所述第一间隙的第一导电层；在所述台阶区中形成第二导电层和导电柱；其中，所述第二导电层位于所述台阶区中相邻的两个所述绝缘层之间；所述导电柱位于覆盖所述台阶区的介质层中；所述第二导电层与所述导电柱电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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