[发明专利]半导体器件的制作方法和三维存储器

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括：沿第一方向交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层；

去除所述核心区中的所述牺牲层，以在所述核心区中形成第一间隙；

形成填充所述第一间隙的第一导电层；

在所述台阶区中形成第二导电层和导电柱；其中，所述第二导电层位于所述台阶区中相邻的两个所述绝缘层之间；所述导电柱位于覆盖所述台阶区的介质层中；所述第二导电层与所述导电柱电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述台阶区中形成第二导电层和导电柱，包括：

在形成所述第一导电层后，形成穿过所述介质层的接触孔；其中，所述接触孔显露所述台阶区中的所述牺牲层；

去除所述台阶区中的所述牺牲层，以在所述台阶区中形成第二间隙；其中，所述第二间隙与所述接触孔连通；

填充所述第二间隙，以形成所述第二导电层；

填充所述接触孔，以形成所述导电柱。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述填充所述第二间隙，以形成所述第二导电层，填充所述接触孔，以形成所述导电柱，包括：

采用化学气相沉积工艺，同时填充所述第二间隙和所述接触孔，以同时形成所述第二导电层和所述导电柱。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述去除所述核心区中的所述牺牲层，以在所述核心区中形成第一间隙，包括：

形成贯穿所述核心区的第一沟槽；其中，所述第一沟槽的侧壁显露位于所述核心区中的牺牲层；通过所述第一沟槽，去除所述核心区中的所述牺牲层；

所述方法还包括：

在形成所述第一导电层之后，且在形成所述接触孔之前，填充所述第一沟槽，形成阻挡结构；在形成所述阻挡结构之后，形成贯穿所述台阶区的第二沟槽；其中，所述第二沟槽与所述阻挡结构连通，所述第二沟槽的侧壁显露位于所述台阶区中的牺牲层；

所述去除所述台阶区中的所述牺牲层，以在所述台阶区中形成第二间隙，包括：

通过所述第二沟槽，去除所述台阶区中的所述牺牲层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述台阶区的第二沟槽，包括：

在形成所述接触孔的同时，形成所述第二沟槽。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成填充所述第二间隙的所述第二导电层；其中，所述第二导电层与所述第一导电层电连接；

在形成所述第二导电层之后，形成填充所述接触孔的所述导电柱。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述第二导电层之后，形成覆盖所述第二沟槽侧壁的电隔离层，并基于所述第二沟槽的形貌形成第三沟槽；

形成填充所述第三沟槽的导电墙；其中，所述电隔离层，位于所述第一导电层与所述导电墙之间；或者，所述电隔离层，位于所述第二导电层和所述导电墙之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿所述核心区的沟道通孔；其中，所述沟道通孔的底部显露所述衬底；

形成填充所述沟道通孔的存储结构；其中，所述存储结构与所述衬底电连接，用于在去除所述核心区中的所述牺牲层时，支撑所述堆叠结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述形成填充所述沟道通孔的存储结构，包括：

沿所述沟道通孔的径向，依次形成覆盖所述沟道通孔侧壁的阻挡层、存储层和隧穿层。

10.根据权利要求1至9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法应用于制造三维存储器。

11.一种三维存储器，其特征在于，包括：

叠层结构，位于衬底上；其中，所述叠层结构的核心区和台阶区包括：沿第一方向交替堆叠设置的绝缘层和导电层；

导电柱，位于覆盖所述台阶区的介质层中；其中，所述导电柱与所述台阶区中的所述导电层一体成型且电连接。