[发明专利]一种三维量子芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110930517.0 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113725208A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种三维量子芯片，包括：量子比特层，其包括第一衬底以及在第一衬底上的量子比特；辅助图形层，其包括第二衬底、在第二衬底上的多种辅助图形以及贯穿第二衬底且沉积有金属的穿孔；以及布线层，其包括连接线以及连接端子，连接线的第一端连接至连接端子，第二端用于数据的输出；其中量子比特层具有量子比特的一面和辅助图形层具有辅助图形的一面通过连接金属焊接在一起，布线层上的连接端子与辅助图形层不具有辅助图形的一面上的穿孔中的沉积金属连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 量子 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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