[发明专利]一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110909300.1 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113604883B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C面变形量，外延结束降温之后，衬底原子面倾向于恢复初始的形状，于是Si面原子面与外延层具有相反的拉伸方向，在一定程度上缓解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 质量 碳化硅 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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