[发明专利]一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶片的制备方法，包括：

4H碳化硅单晶，生长过程中始终保持生长界面中心向边缘温度逐渐升高，且随着生长进行，二者温差逐渐减小，所述生长过程中生长界面以均匀的速度或加速度向远离最高温区域的方向移动；或

6H碳化硅单晶，生长过程中始终保持生长界面中心向边缘温度逐渐降低，且随着生长进行，二者温差逐渐增大，所述生长过程中生长界面以均匀的速度或加速度向靠近最高温区域的方向移动；

所述生长界面向远离最高温区域的方向移动的方法包括：

通过提拉生长坩埚、降低加热线圈、降低生长压力或降低加热功率中的一种或几种，使生长过程中的高温线向远离生长界面的方向移动；

所述生长界面向靠近最高温区域的方向移动的方法包括：

通过降低生长坩埚、上升加热线圈、升高生长压力或提高加热功率中的一种或几种，使生长过程中的高温线向靠近生长界面的方向移动；

所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度；

所述Si面原子面的弯曲度与C面原子面的弯曲度相差≤30秒。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Si面原子面的弯曲度与C面原子面的弯曲度相差≤10秒。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原子面为（0001）原子面。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原子面的弯曲度≤30分。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原子面的弯曲度≤10分。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅单晶片为直径2~12英寸，4H或6H晶型。