[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110897831.3 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113628973B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈辉 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层；在外延层中形成源区；在外延层中形成体区；在外延层的第一表面上形成栅极结构，栅极结构包括栅介质层，栅极导体以及层间介质层；在层间介质层中形成开口以暴露源区的表面；以及形成源极接触，源极接触形成在层间介质层的表面上并且经由开口与源区相连接，其中，利用离子注入的倾角控制使得体区的横向延伸范围大于源区的横向延伸范围，使得体区位于源区的周边部分形成横向延伸的沟道，栅极导体的至少一部分位于沟道上方。本申请的碳化硅MOSFET器件的制造方法，通过调整体区的离子注入时的入射角度和入射能量，精确控制沟道的长度，从而实现短沟道和降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州芯迈半导体技术有限公司，未经杭州芯迈半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110897831.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
