[发明专利]半导体晶片接合结构在审
| 申请号： | 202110896931.4 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725049A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 元罗彬;金钟薰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体晶片接合结构，该半导体晶片接合结构包括：下晶片，该下晶片包括下顶部接合介电层和下连接结构；以及上晶片，该上晶片层叠在下晶片上并且包括上底部接合介电层和上连接结构。下顶部接合介电层和上底部接合介电层相连。下连接结构和上连接结构相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 接合 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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