[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110879401.9 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267737A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 一关健太郎;可知刚;大麻浩平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置包括第一半导体区域，设置于第一电极之上，与第一电极电连接，是第一导电型；第二半导体区域，设置于第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型；第三半导体区域，设置于第二半导体区域之上，是第一导电型；第一导电部，具有与第二半导体区域的侧面对置的部分；第二导电部，具有与第一半导体区域的侧面对置的部分；第二电极，设置于第二半导体区域及第三半导体区域之上，与第二半导体区域及第三半导体区域电连接；第一导电区域，设置于第二导电部之上，与第二导电部电连接；第一电极区域，与第一导电区域电连接；导电层，与第一导电区域及第一电极区域中的至少任一个以及第二电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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