[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置包括第一半导体区域，设置于第一电极之上，与第一电极电连接，是第一导电型；第二半导体区域，设置于第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型；第三半导体区域，设置于第二半导体区域之上，是第一导电型；第一导电部，具有与第二半导体区域的侧面对置的部分；第二导电部，具有与第一半导体区域的侧面对置的部分；第二电极，设置于第二半导体区域及第三半导体区域之上，与第二半导体区域及第三半导体区域电连接；第一导电区域，设置于第二导电部之上，与第二导电部电连接；第一电极区域，与第一导电区域电连接；导电层，与第一导电区域及第一电极区域中的至少任一个以及第二电极电连接。

本申请主张以日本专利申请第2020－155198号(申请日：2020年9月16日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

已知具有场板的半导体装置。对于这种半导体装置要求可靠性的提高。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够实现可靠性的提高的半导体装置。

有关实施方式的半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、第二电极、第一导电区域、第一电极区域及导电层。所述第一半导体区域设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接，是第一导电型。所述第二半导体区域设置于所述第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型。所述第三半导体区域设置于所述第二半导体区域之上，是所述第一导电型。所述第一导电部具有与所述第二半导体区域的侧面对置的部分。所述第二导电部具有与所述第一半导体区域的侧面对置的部分。所述第二电极设置于所述第二半导体区域及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接。所述第一导电区域设置于所述第二导电部之上，与所述第二导电部电连接。所述第一电极区域与所述第一导电区域电连接。所述导电层与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极电连接。

附图说明

图1A及图1B是表示有关第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示有关第一实施方式的半导体装置的一部分的剖面图。

图3是表示有关第一实施方式的半导体装置的一部分的剖面图。

图4是表示有关第一实施方式的半导体装置的一部分的剖面图。

图5是表示有关第一实施方式的半导体装置的一部分的剖面图。

图6是表示有关第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图7是表示有关第一实施方式的半导体装置的一部分的剖面图。

图8是说明半导体装置的晶片测试的表。

图9A及图9B是表示有关第二实施方式的半导体装置的俯视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或者概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、各部分间的尺寸的比例等不一定与实际状况相同。即使是表示相同部分的情况下，也存在根据附图而不同地表示彼此的尺寸和比例的情况。

在本申请说明书和各附图中，对与已经说明的内容相同的要素赋予相同的标号，并适当省略详细说明。

在下面的说明及附图中，n⁺、n^-及p⁺、p的表述表示各杂质浓度的相对的高低。即，附加有“+”的表述表示杂质浓度相对“+”及“-”都没有附加的表述高，附加有“-”的表述表示杂质浓度相对什么都没有附加的表述低。这些表述在各个区域中包含有p型杂质和n型杂质的两者的情况下，表示这些杂质相互补偿后的净的杂质浓度的相对的高低。