[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第一电极；

第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接；

第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域的一部分之上；

第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上；

第一导电部，具有与所述第二半导体区域的侧面对置的部分；

第二导电部，具有与所述第一半导体区域的侧面对置的部分；

第二电极，设置于所述第二半导体区域及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接；

第一导电区域，设置于所述第二导电部之上，与所述第二导电部电连接；

第一电极区域，与所述第一导电区域电连接；以及

导电层，与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述导电层包含焊料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电区域在第二方向上延伸，所述第二方向与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直，

所述第二导电部在相对于所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上延伸，

所述第一导电区域位于所述第二导电部的所述第三方向的中央部之上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第二电极具有第一区域和在所述第三方向上与所述第一区域分离的第二区域，

所述第一电极区域配置在所述第一区域和所述第二区域之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有：

第一绝缘膜，设置于所述第二导电部和第一半导体区域之间；以及

第二绝缘膜，设置于所述第一导电部和所述第二导电部之间。

6.一种半导体装置，其具有：

第一电极；

第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接；

第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域的一部分之上；

第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上；

第一导电部，具有与所述第二半导体区域的侧面对置的部分；

第二导电部，具有与所述第一半导体区域的侧面对置的部分；

第二电极，设置于所述第二半导体区域及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接；

第一导电区域，设置于所述第二导电部之上，与所述第二导电部电连接；

第一电极区域，与所述第一导电区域电连接；以及

与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极电连接而被绝缘击穿的电容器、或者与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极电连接而被击穿的二极管。

7.一种半导体装置，其具有：

第一电极；

第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接；

第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域的一部分之上；

第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上；

第一导电部，具有与所述第二半导体区域的侧面对置的部分；

第二导电部，具有与所述第一半导体区域的侧面对置的部分；

第二电极，设置于所述第二半导体区域及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接；

第一导电区域，设置于所述第二导电部之上，与所述第二导电部电连接；

第一电极区域，与所述第一导电区域电连接；

第二导电区域，设置于所述第一导电部之上，与所述第一导电部电连接；

第二电极区域，与所述第二导电区域电连接；以及

导电层，与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极区域电连接。