[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202110837426.2 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113471194B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H10B69/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。有源结构设置于衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个第一有源片段以及各个第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，第二有源片段设置在所有的第一有源片段外侧。浅沟渠隔离设置于衬底内，环绕有源结构并包括多个第一部分以及多个第二部分。字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内。所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错，或者至少一条不穿过任何第二部分。藉此，可有效地避免字线与位线直接导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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